Нулевые потери или высокая устойчивость: SiC Шоттки против традиционных быстрых диодов
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремниевым диодам с быстрым восстановлением (FRED). Но смогут ли SiC SBD их полностью вытеснить в ближайшие годы?
SiC-диоды Шоттки дают весомые преимущества. Во-первых, это практически нулевые потери при переключении благодаря отсутствию обратного восстановления заряда, что делает их незаменимыми в высокочастотных применениях и системах с жесткими требованиями к эффективности. Во вторых, они работают при температурах до 175°C (кремниевые – до150°C), снижая требования к охлаждению. Благодаря этим преимуществам SiC незаменимы в таких приборах и оборудовании, как:
- инверторы для электромобилей;
- солнечные инверторы и зарядные станции;
- импульсные источники питания;
- индустриальные преобразователи.
Однако FRED-диоды тоже имеют свои плюсы. Они в 3…4 раза дешевле и обладают высокой устойчивостью к импульсным перегрузкам. Для бюджетных или среднечастотных приложений быстрые диоды все еще остаются оптимальным выбором. Они применяются в:
- недорогих бытовых приборах;
- простых источниках питания;
- схемах, где частота и КПД не критичны.